盛夏已過，初秋開場
八月的高溫依舊遲遲不散
生活也免不了被繁雜的工作封印
高壓大功率(6500V/3000A)IGBT測試難？
伴隨著項目需求急、任務重、要求高
工程師們壓力山大...
不如先Fun松Fun松~
Step 1
轉發朋友圈配文“有獎互動”，設置所有人可見，截圖保存；
Step 2
掃描下方二維碼，上傳截圖、填寫問題答案并提交。
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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！
1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變
SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。
2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響
由于SiC與Si特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移，導致其電性能測試以及高溫柵偏試驗后的電測試結果嚴重依賴于測試條件。因此閾值電壓的準確測試，現行可靠性測試方法有：
3、脈寬和溫度對導通電阻的影響
導通電阻 RDSon為影響器件工作時導通損耗的一重要特征參數，其數值會隨 VGS 以及T的變化而改變。
4、FIMV、FVMI 對測試的影響
限流保護能夠將電壓或者電流限制在SOA區域，避免器件損壞或炸管。
測試條件：800V 恒壓 10μA 限流
測試條件：100μA 恒流1000V限壓
5、等效電阻對導通壓降測試的影響
? 開爾文（Kelvin）電流檢測電路將提高導通電壓測量精度；
? SOCKET與PIN接觸電阻、測試引線導通電阻。
6、等效電感對導通壓降測試的影響
? 電感過大，電流波形振蕩；
? 線路等效電感、DUT等效電感。
7、線路等效電容對測試的影響
? 普通同軸電纜的等效電容與DUT并聯，SMU測試時上升以及穩定時間長；
? 三同軸電纜等效電容幾乎為0。
參與互動獲得精美禮品
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